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LT-SD002型四探針測試儀
LT-SD002型四探針測試儀

LT-SD002型四探針測試儀

  • 詳情說明

產品說明

LT-SD002型四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測-改進形范德堡測量方法測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準。利用電流探針、電壓探針的變換,進行兩次電測量,對數據進行雙電測分析,自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響,它與單電測直線或方形四探針相比,大大提高正確度,特別是適用于斜置式四探針對于微區(qū)的測試。

產品特點

1、 儀器由主機、測試臺、四探針探頭、計算機等部分組成,測量數據既可由主機直接顯示,亦可由計算機控制測試采集測試數據到計算機中加以分析,然后以表格,圖形方式統(tǒng)計分析顯示測試結果。
2、采用了最新電子技術進行設計、裝配,具有功能選擇直觀、測量取數快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結構緊湊、易操作等特點。
3、適用于半導體材料廠、半導體器件廠、科研單位、高等院校對半導體材料的電阻性能測試。
4、是一個運行在計算機上擁有友好測試界面的用戶程序,通過此測試程序輔助使用戶簡便地進行各項測試及獲得測試數據并對測試數據進行統(tǒng)計分析。
5、測試程序控制四探針測試儀進行測量并采集測試數據,把采集到的數據在計算機中加以分析,然后把測試數據以表格,圖形直觀地記錄、顯示出來。用戶可對采集到的數據在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看,還可以把采集到的數據輸出到Excel中,讓用戶對數據進行各種數據分析。

技術參數
v

測量范圍

電阻率:10-5~105 Ω.cm(可擴展);

方塊電阻:10-4~106 Ω/□(可擴展);

電導率:10-5~105 s/cm;

電阻:10-5~105 Ω;

可測晶片直徑

140mmX150mm(配S-2A型測試臺);

200mmX200mm(配S-2B型測試臺);

400mmX500mm(配S-2C型測試臺);

恒流源

電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔,各檔電流連續(xù)可調

數字電壓表

?量程及表示形式:000.00~199.99mV;    

?分辨力:10μV;

?輸入阻抗:>1000MΩ;

?精度:±0.1% ;

?顯示:四位半紅色發(fā)光管數字顯示;極性、超量程自動顯示;

四探針探頭基本指標

?間距:1±0.01mm;

?針間絕緣電阻:≥1000MΩ;

? 機械游移率:≤0.3%;

?探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm;

?探針壓力:5~16 牛頓(總力);

四探針探頭應用參數

?(見探頭附帶的合格證)

模擬電阻測量相對誤差

?0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字

( 按JJG508-87進行)

整機測量最大相對誤差

(用硅標樣片:0.01-180Ω.cm測試)≤±5%

整機測量標準不確定度

?≤5%

測試模式

?可連接電腦測試也可不連接電腦測試

軟件功能(選配)

軟件可記錄、保存、打印每一點的測試數據,并統(tǒng)計分析測試數據最大值、最小值、平均值、最大百分變化、平均百分變化、徑向不均勻度、并將數據生成直方圖,也可把測試數據輸出到Excel中,對數據進行各種數據分析。軟件還可選擇自動測量功能,根據樣品電阻大小自動選擇適合電流量程檔測試。

計算機通訊接口

?并口,高速并行采集數據,連接電腦使用時采集數據到電腦的時間只需要1.5? 秒(在 0.1mA、1mA、10mA、100mA量程檔時)。

標準使用環(huán)境

?溫度:23±2℃;

?相對濕度:≤65%;

?無高頻干擾; 無強光直射;

符合標準

執(zhí)行GB/T1550-2018《非本征半導體材料導電類型測試方法》
GB/T 1551-2009《硅單晶電阻率的測定方法》
GB T 1552-1995 《硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法》
ASTM F84-1984 《用直線四探針測量硅片電阻率的標準方法》

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